本發明公開了一種特殊結構的p-n結納米復合材料及其制備方法和應用,屬于無機非金屬納米材料制備、環境保護技術與太陽能利用技術領域。該p-n結材料為以低維納米結構(球狀、多面體狀、線狀等)窄禁帶p型半導體材料(氧化亞銅、硫化亞銅、硫化鎘等)為內核,表面修飾(部分包覆)納米尺度的寬禁帶n型半導體材料(二氧化鈦、氧化鋅、氧化錫等)。采用控制金屬鹽水解的方法,在低維納米結構窄禁帶p型半導體材料的表面構建大量的異質納米p-n結。該p-n結納米復合材料可以直接用于解決可見光下有機物的分解和及微生物病原體的滅活和太陽能的高效利用的問題,特別是單成分光催化劑材料電子—空穴分離效率低的難題。
聲明:
“異質p-n結納米復合材料及其制備方法和應用” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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