本發明公開了一種NiS/rGO復合材料及其制備方法與在氣敏材料中的應用。本發明在磁場輔助下經高溫水浴制備出Ni納米線,經高溫退火制得NiO納米線,通過離子交換反應制備出NiS納米線,并將其與GO進行復合,經高溫還原構筑出基于NiS/rGO復合材料的多級異質結構,并制成氣體傳感器,在常溫下探究了器件對NO2氣體的氣敏響應特性。硫化鎳(NiS)/還原氧化石墨烯(rGO)復合材料氣體傳感器遵循表面電荷控制模型,還原氧化石墨烯與金屬硫化物形成的復合材料整體呈現半導體特性,電子被捕獲使得材料中電子濃度降低,空穴濃度增加,為空穴導電類型,因此傳感器的電導率增加,電阻減小。
聲明:
“NiS/rGO復合材料及其制備方法與在氣敏材料中的應用” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)