本發明公開了一種超低摩擦的納米γ-Fe2O3/SiO2磁性復合材料及其制備方法,該種磁性復合材料的成分原子質量百分比為:Fe:10.0~30.0%;Si:10~40.0%;N:1~3%;余量為O。其制備方法為:首先用射頻等離子體增強化學氣相沉積法在鋼基體上制備無定形Si膜,得到薄膜試樣;再將所得的薄膜試樣置于惰性保護氣體中,以400-800℃處理1~3小時,得到納米γ-Fe2O3/SiO2磁復合材料。然后將該磁復合材料在氮氣氣氛保護下冷卻至室溫。該制備方法不但工藝簡單、易于實現工業化生產。這種磁性復合材料中只有γ-Fe2O3,不會發生α-Fe2O3相轉變,保持了納米γ-Fe2O3的純度。與傳統的γ-Fe2O3材料相比,γ-Fe2O3材料的熱穩定性顯著提高。相變溫度的提高,對拓寬γ-Fe2O3作為磁記錄材料的應用范圍具有極其重要的意義。
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