一種鋁基碳化硅高密度封裝半導體復合材料,以重量計,包括以下原料:鋁20~40份、鎂6~10份、碳化硅微粉15~19份、碳纖維增強體10~20份、鈦10~14份、鈮2~6份、鉑3~7份、鐵10~20份、銅10~14份;本發明的有益效果是在原料中加入了鈦、鈮、鉑和碳纖維增強體,從而使鋁基碳化硅高密度封裝半導體復合材料的結構強度更高,防止鋁基碳化硅高密度封裝半導體復合材料在使用時發生損壞。
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