本發明公開了一種利用強磁場手段制備聚合物?碳納米復合材料取向薄膜的方法,其制備方法包括如下步驟:(1)將石墨烯分散液和π共軛聚合物分散液混合后,在超聲條件下分散均勻得到混合物料;(2)將混合物料旋涂在硅片上得到濕膜,將涂覆有濕膜的硅片放置到磁場中,使濕膜所在的平面與磁場的方向平行;(3)步驟(2)處理得到的濕膜進行退火處理后,得到聚合物?碳納米復合材料取向薄膜。本發明將濕膜放置在強磁場中時,保證濕膜所在的平面與磁場的方向平行,從而在磁場的作用下,制備得到聚合物?碳納米復合材料取向薄膜。通過摻雜石墨烯使薄膜在平行磁場方向的遷移率顯著提高,且平行磁場方向的遷移率遠遠大于垂直磁場方向的遷移率。
聲明:
“利用強磁場手段制備聚合物-碳納米復合材料取向薄膜的方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)