本發明公開了一種高功函數復合材料的制備方法,采用物理氣相沉積法依次在二維材料襯底表面沉積含氟有機半導體分子層和金屬層后,熱處理得到高功函數復合材料。該方法通過控制復合材料熱處理退火的溫度,簡單、可靠的實現對其功函數的調控,改善其在有機光伏器件中作為新型的陽極材料的應用。本發明操作簡便,整個制備過程安全無害,具有廣闊的應用前景。
聲明:
“高功函數復合材料的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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