用于陶瓷基復合材料高溫抗氧化的粉末、涂層及制備方法,屬于高溫防護涂層領域。利用高溫固滲工藝制備一種適用于C/C或者C/SiC陶瓷基復合材料的B、Ta或者B、La或者B、Mo共摻雜的帶有一定含量游離硅的致密SiC涂層。該涂層中游離硅為3~25wt.%,B為0.1~2wt.%,Ta或者La或者Mo為0.1~2.5wt.%,余量為SiC。通過添加B在氧化過程中生成B2O3具有較低的熔點(450℃)和良好的流動性,實現材料的自愈合抗氧化,添加難熔相并且對應氧化物也難熔的Ta或者La或者Mo可降低氧在氧化膜中的擴散速度,抑制氧向內擴散。這種新型共摻雜方法顯著改善了SiC涂層抗高溫氧化性能。
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