本發明提供一種納米二氧化硅-納米氮化硅復合材料,包括多個由納米二氧化硅包覆在納米氮化硅表面形成的微粒,其中,所述納米氮化硅與納米二氧化硅的質量比為1:1~10:1。納米氮化硅與納米二氧化硅按質量比1∶1~10:1進行復合,使得該復合材料的穩定性好,介電常數較低,能夠廣泛應用于超大規模集成電路電子封裝等領域。本發明還提供一種納米二氧化硅-納米氮化硅復合材料的制備方法。
聲明:
“納米二氧化硅-納米氮化硅復合材料及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)