發明公開了一種自支撐多孔硅/ZnO復合材料的制備方法,其制備步驟包括如下:自支撐多孔硅的制備,采用p型單晶硅的多步陽極氧化腐蝕為自支撐多孔硅;ZnO籽晶的生長,利用真空抽濾氧化鋅溶液分散于多孔硅層之間,在氬氣氛圍下生長為氧化鋅籽晶;復合材料的制備,水熱合成法促進多孔硅層之間的氧化鋅籽晶生長為納米氧化鋅層,形成一種微納多孔硅/ZnO復合材料。本發明通過單晶硅多步陽極氧化腐蝕法,來實現多孔硅片層的生長和剝離;通過多孔硅表面的納米氧化鋅層實現了對多孔硅表面的鈍化,改善了多孔硅表面高電阻和高反應活性,大大提高了多孔硅的電容特性和電化學穩定性,拓寬了多孔硅在超級電容器領域的應用前景。
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