本發明公開一種表面改性碳化硅顆粒增強銅基復合材料及其制備方法,該方法首先采用雙溫區化學氣相沉積爐對碳化硅顆粒進行表面改性,減弱甚至阻止碳化硅顆粒與銅基體發生反應,然后在真空環境中通過機械壓力浸滲法制備表面改性碳化硅顆粒增強銅復合材料。該方法簡單有效,對于工業量級碳化硅顆粒表面改性要求有極佳的性能優勢,制備的銅基復合材料致密度高,熱膨脹系數低,熱導率有明顯提高,滿足電子封裝領域大功率器件散熱對高導熱熱管理材料的迫切需求。
聲明:
“表面改性碳化硅顆粒增強銅基復合材料及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)