本發明公開了一種聚吡咯納米線陣列/石墨烯片/二氧化錫復合材料的制備方法。以氧化石墨烯三維結構為骨架,利用吡咯鏈段上帶正電的氮和氧化石墨烯表面上的環氧鍵之間的靜電張力在氧化石墨烯表面生長聚吡咯納米線陣列;同時,帶正電的Sn(Ⅱ)離子進入到負電性的氧化石墨烯片層間,并與氧化石墨烯發生氧化還原反應而生成Sn(Ⅳ)離子,同時將氧化石墨烯還原為石墨烯,然后加入氫氧化鈉溶液并在180℃下反應生成納米二氧化錫顆粒沉積在還原后的石墨烯層之間,制得聚吡咯納米線陣列/石墨烯片/二氧化錫復合材料。本發明方法制備過程簡單、可靠、綠色環保,且制得的復合材料具有規整的空間結構,高能量密度和功率密度,以及優秀的循環性能。
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