一種PTFE高頻金屬基納米復合材料電路基板的制作方法,包括(1)制作基板納米復合介質層,采用PTFE粉和TiO2粉按一定比例進行混合并加入半固態納米復合材料,復合介質材料置于模具中經高溫壓合形成基板納米復合介質材料層;(2)制作PTFE分散液與玻璃布浸膠粘結片,然后高溫燒結后制得玻璃布浸膠粘膠片;(3)制作PTFE高頻金屬基納米復合材料電路基板將絕緣介質材料層設置在銅箔的上方后經高溫環境帶壓加工壓制成型;本發明的優點是:具有良好的強度和絕緣性能,制作成本低,適用鉆孔、沖剪及切割等常規機械加工,降低加工成本,能承受機械和熱應力,適用功率組件表面貼裝SMT工藝,無需散熱器,體積大大縮小,散熱效果極好。
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