本發明涉及復合材料領域,具體涉及一種制備碳化硅致密復合材料的方法。一種制備碳化硅致密復合材料的方法,該方法包括:(1)材料清洗:將待沉積材料置于高純水中超聲清洗,之后干燥后待用;(2)表面除雜:將清洗后的待沉積材料經過高溫將表面雜質形成金屬鹵化物升華除去;(3)沉積碳化硅:將除雜后的待沉積材料置于碳化硅沉積裝置中,在不同溫度下,向所述若干個保護罩內分別通入不同濃度的氣體,通過化學氣相沉積反應在待沉積材料表面進行不同程度的碳化硅的沉積;本發明解決了一個生產周期內,裝置內需完成多個產品的碳化硅涂層沉積工作,且各產品的技術要求(例如碳化硅涂層厚度,表面結構,均勻性等)均不相同的問題。
聲明:
“制備碳化硅致密復合材料的方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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