本發明提供了一種碳化硅?氮化硼納米片異質填料的制備方法、環氧樹脂導熱復合材料及制備方法,屬于納米材料領域。本發明將碳化硅(SiC)與氮化硼納米片(BNNS)原位生長制備異質結構導熱填料碳化硅?氮化硼納米片(SiC?BNNS),基于化學鍵產生的緊密結合力可以降低直接摻雜BNNS和SiC引入的界面熱阻,同時可以有效避免BNNS和SiC的團聚現象,更易在環氧樹脂內構筑高效的SiC?SiC和BNNS?SiC?BNNS導熱通路,環氧樹脂為基體,能夠在低導熱填料用量下促進導熱通路的高效形成,進而實現環氧樹脂復合材料高導熱和高性能化。
聲明:
“碳化硅-氮化硼納米片異質填料及制備方法、環氧樹脂導熱復合材料及制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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