本發明公開了一種碳化硅納米線增強高取向石墨復合材料及制備方法,在其表面生長一層均勻的碳化硅納米線作為增強相,均勻分布在石墨片層間,形成碳化硅納米線增強定向排列的石墨片層的各向異性結構;工藝上先以硅粉和片狀石墨為原料通過熔鹽法制備出碳化硅納米線包覆片狀石墨的粉體,然后預壓成型后于1600~2000℃進行放電等離子體燒結,燒結過程中施加的軸向壓力,使包覆碳化硅納米線的石墨片層定向排布,燒結后形成的均勻三維陶瓷骨架,可顯著提高石墨基體的強度,并約束石墨的熱膨脹,從而形成致密、高強、沿片層方向高熱導率、垂直片層方向低熱膨脹的各向異性復合材料,其優異的綜合性能,將在電子器件、發熱部件的傳熱、散熱等方面具有廣泛的應用前景。
聲明:
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