本發明公開了一種CdSNRs@NiSilicate超薄納米片復合材料的制備方法,是先在CdS?NRs表面上負載硅烷層,再添加硝酸鎳以形成硅酸鎳;在水熱處理過程中消除了中間二氧化硅層,形成了CdS@NiSilicate納米結構,NiSilicate納米片作為保護層,抑制CdS的光致轉移,促進CdS中的電荷分離,形成CdS?NRs與NiSilicate之間的異質結,這種獨特的1D?2D納米結構具有大量活性位點的NiSilate納米片,比表面積明顯增加,加速了電子傳輸并大大提高性能,在光催化產氫中表現出優異的性能。
聲明:
“CdSNRs@NiSilicate超薄納米片復合材料的制備及在析氫反應中的應用” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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