本發明提供與構成LED的III-V族半導體晶體的線熱膨脹系數差較小且導熱性優良,適合作為高功率LED使用的LED發光元件用基板。如下制備LED發光元件用復合材料基板:通過液態模鍛法、以30MPa以上的浸滲壓力使鋁合金或純鋁浸滲多孔體,裁切和/或磨削加工成板厚為0.05-0.5mm、表面粗糙度(Ra)為0.01-0.5μm后,在表面形成含有選自Ni、Co、Pd、Cu、Ag、Au、Pt、Sn中的1種以上的金屬的金屬層,使得金屬層厚度達到0.5-15μm,所述多孔體由選自碳化硅、氮化鋁、氮化硅、金剛石、石墨、氧化釔及氧化鎂中的1種以上形成,氣孔率為10-50體積%,3點彎曲強度為50MPa以上。
聲明:
“用于LED發光元件的復合材料基板、其制造方法及LED發光元件” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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