本發明公開一種硅與金屬復合材料的微結構加工方法,包括:一.硅片與硅襯底上的金屬電鑄種子層的共熔鍵合;二.AZ正膠電鑄金屬圖案的光刻;三.第一層硅結構的深度刻蝕;四.電鑄金屬內裝結構;五AZ正膠硅結構圖案的光刻;六.第二層硅結構的深度刻蝕;七.去除光刻膠和分離基底,釋放出硅與金屬復合材料的微結構。有益效果是:由于將功能型硅片鍵合在具有金屬種子層的硅襯底上,在運用反應離子耦合的干法硅深度刻蝕技術刻蝕,電鑄金屬結構,刻蝕其他的硅結構;該方法獲得的微結構尺寸精度高,電鑄金屬結構完美,因為深度刻蝕的硅側壁本身具有扇貝型條紋,電鑄的金屬結構與硅結構互相咬合,不易分離脫落;另外,由于采用深度刻蝕和電鑄工藝,重復性好。
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