本發明屬材料科學技術領域,特別涉及一種氮化 硅粒度呈雙峰分布的氮化硅—碳化鈦復合材料的制備方法。提 出了在微米級 Si3N4基體中加入納米級 Si3N4顆粒和TiC顆粒的方法,通過分段溫升、分段加壓的熱壓 燒結工藝,制備出基體氮化硅呈雙峰分布的 Si3N4/TiC納米復合陶瓷材料。通過添加納米 Si3N4顆粒形成的類晶須晶粒雙峰分布及納米TiC顆粒增 韌,使得納米復合陶瓷材料獲得了較高的強度、韌性、抗熱 震性能及抗氧化性能。所制備的納米復合陶瓷材料硬度 HV16~17.5GPa,抗彎強度900~1000MPa,斷裂韌性7~ 7.5MPa·m1/2,抗熱震溫差為650 ℃。
聲明:
“氮化硅—碳化鈦復合材料的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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