本發明公開了一種環氧基復合材料深陷阱涂層及應用,所述涂層為添加有納米碳化硅的環氧樹脂。所述納米碳化硅添加的比例為1?7wt%。作為優選,所述納米碳化硅添加的比例為5wt%。本發明所制備得到的EP/SiC涂層通過調控試樣表面的微觀陷阱分布來改變宏觀上試樣表面電荷分布狀態,可以明顯抑制電荷的注入和表面電荷的積聚現象,提高環氧基復合材料的閃絡電壓。該涂層能夠大面積的應用于已成型的設備絕緣,可以顯著提高其表面絕緣性能,具備較高的經濟價值和實用效果。
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