本發明公開了一種巨磁阻抗(GMI)效應石墨烯/納米晶復合材料及制備方法,其方法通過在巨磁阻抗傳感器敏感元件Fe73.5Cu1Nb3Si13B9.5納米晶條帶上,通過化學氣相沉積(CVD)法,以聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)為碳源直接生長石墨烯,得到石墨烯/納米晶(Graphene/FINEMET)雙層結構的巨磁阻抗傳感器敏感元件。其有益效果在于通過合適的碳源選擇及CVD生長工藝,成功在較低溫度下在納米晶條帶生長了高質量石墨烯層。直接生長的高質量石墨烯層一方面因其高導電性能作為高頻電流流動的途徑,大大降低了趨膚效應;另一方面本方法提高了在條帶上直接生長石墨烯的兼容性,使得納米晶條帶的軟磁性能得以保持延續。最終獲得了巨磁阻抗效應石墨烯/納米晶復合材料。
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