本發明公開了一種Sn?Co@void@C復合材料的制備發方法及其應用。通過共沉淀法合成CoSn(OH)6,經過熱處理得到SnO2/Co3O4,接著進行SiO2和碳層的包覆,后洗去SiO2并進行碳熱還原,最終得到Sn?Co@void@C復合材料,該材料應用于鈉離子電池負極材料。本發明中設計合成中空核殼結構使得金屬內芯的體積膨脹問題得以緩解,改善了循環穩定性。本發明利用金屬Co將Sn分成若干微區,減少了死鈉的產生,進一步的改善了材料的循環穩定性,為金屬基負極材料的體積膨脹問題提供了新的思路。
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“Sn-Co@void@C復合材料的制備方法及其應用” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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