本發明公開了一種離子交換制備PbS?MoSx光電復合材料的方法。在合成PbS納米片的基礎上,通過離子交換,采用Mo5+離子將PbS納米片表層的Pb2+離子交換出來,使表面轉化為MoSx,形成PbS?MoSx的復合異質結構。本發明操作簡單,能夠通過改變離子交換的反應時間控制PbS納米片表面MoSx層的厚度,從而改變材料的光電性能。離子交換反應后得到的復合物材料的光電性能優于單獨的PbS納米片,所制備的PbS?MoSx復合材料在光電領域有良好的應用前景。
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