本發明涉及導電金屬材料制備技術領域,具體涉及一種高強度高導電銅基復合材料的制備方法。本發明首先在沼液微生物的作用下使得稻殼表面產生多孔結構,再在鐵粉的催化作用下熱轉化形成多孔碳化硅晶須,接著利用在多孔碳化硅晶須的表面及微孔中附著聚多巴胺薄膜,利用聚多巴胺薄膜將銅離子螯合固著在碳化硅晶須表面和內部孔隙中,在氫氣和高溫的條件下先將聚多巴胺薄膜分解使得銅離子重新暴露,再用氫氣將銅離子還原成單質銅,從而增加了碳化硅晶須和銅基體間的相容性并通過渦流狀相互噴射碰撞而使內部鈦和碳化硅發生化學反應而生成新的陶瓷增強TiC、Ti3SiC2、TiSi2相,使得最終制得的銅基復合材料可以同時兼顧強度和導電性,具有廣闊的應用前景。
聲明:
“高強度高導電銅基復合材料的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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