本發明公開了一種含硫空位的硫化銦鎘?硫化鎘(CdIn2S4?CdS)二維(2D)復合材料及其制備方法和應用,所述CdIn2S4?CdS復合材料中,片狀CdIn2S4復合于片狀CdS,形成異質結。本發明通過水熱處理將前驅體Cd3(C3S3N3)2分解的同時進行離子交換,構建2D CdIn2S4?2D CdS,異質結的存在可以快速轉移其界面的電子空穴,實現高效的電荷分離;另外,硫空位可以吸附和活化氧氣,產生大量氧活性物質。
聲明:
“含硫空位的硫化銦鎘-硫化鎘二維復合材料及其制備方法和應用” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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