本發明涉及一種用于C/ZrC?SiC復合材料的陶瓷防護層及其制備方法。所述陶瓷防護層包括在C/ZrC?SiC復合材料上依次形成的(TiZrHfTa)Cx?SiC過渡層、(TiZrHfTa)Cx抗氧化涂層和SiC封孔層。所述方法為:通過PIP工藝制備(TiZrHfTa)Cx?SiC過渡層;通過刷涂工藝在所述過渡層的基礎上制備(TiZrHfTa)Cx抗氧化涂層;通過化學氣相沉積工藝在所述抗氧化涂層的基礎上制備SiC封孔層,得到陶瓷防護層。本發明制備的陶瓷防護層能夠在2500℃以上溫度具有優異的抗氧化性能,還與基體具有很高的結合力,在新型高超聲速飛行器的端頭、發動機等結構件上具有廣闊的應用前景。
聲明:
“用于C/ZrC-SiC復合材料的陶瓷防護層及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)