本發明提供一種基于TeO2/并五苯復合材料的具有寬頻特性的MOS器件,包括源極、柵極和漏極;該MOS器件的結構上從下到上依次為,玻璃作為襯底和ITO作為柵極,PVA與PMMA雙層材料結構作為絕緣層,TeO2/并五苯復合材料作為有源激活層;源極和漏極采用金作為電極,所述源極和漏極為叉指狀結構。本發明是利用電場來控制固體材料導電性能的有源MOS器件。該器件表現出明顯的寬頻特性,即在幅頻特性上頻帶較寬。使得該發明成為在傳感器,高頻電子線路,大規模集成電路和有源主動顯示領域有著很好的應用前景。
聲明:
“基于TeO2/并五苯復合材料的具有寬頻特性的MOS器件” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)