本發明公開了一種用于光電催化產氫的薄膜復合材料的制備方法,首先通過熱蒸氣液聚法制備g?C3N4薄膜;然后采用水浴法將Sb2S3納米球負載到g?C3N4薄膜上;最后通過光電化學沉積法將Co?Pi納米顆粒沉積到g?C3N4/Sb2S3上最終得到g?C3N4/Sb2S3/Co?Pi薄膜復合材料。本發明提升了g?C3N4的可見光吸收,促進了光生電子?空穴對的分離;制備方法簡單易操作,整體成本低廉。
聲明:
“用于光電催化產氫的薄膜復合材料的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)