一種調整Ag?ITO復合材料近紅外區吸收峰波長的方法,屬于納米光吸收材料技術領域,本發明方法中Ag?ITO復合材料的結構是結合模板法,以聚苯乙烯小球陣列為模板,Ag和ITO經磁控濺射的方法獲得。本發明方法根據金屬半導體載流子濃度可調的性質,通過增大ITO濺射功率,增加ITO含量,減小載流子濃度等手段,不僅提高了近紅外區的吸收效率,還能夠控制半導體ITO的含量進而使吸收峰在從1079nm紅移至1214nm的范圍內精確調控,有望開發新型的生物芯片和光電器件等材料。
聲明:
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