本發明屬于聚醚醚酮材料領域,具體公開一種氯磺化聚醚醚酮復合材料薄膜的制備方法,包括以下步驟:(1)氯磺化氟酮合成、(2)氯磺化聚醚醚酮合成、(3)氯磺化聚醚醚酮復合材料薄膜制備,本發明通過采用芳香族化合物的原位聚合、親核取代、親電取代等反應機理,將磺酸基團及氯磺酸基團引入到聚醚醚酮結構的化合物中,制備的復合膜可以在250℃下長期使用,耐高溫性能較好,該復合膜具有較高的阻醇率,可以最大限度的保證電極安全,防止電極中毒造成的電池報廢,機械性能相較于市售產品提升較大,具有更好的強度和韌性。
聲明:
“氯磺化聚醚醚酮復合材料薄膜的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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