本發明公開了一種多級氧化銦錫納米線陣列復合材料的制備方法與在太陽能電池中的應用。多級氧化銦錫納米線陣列復合材料包括生長在導電基底上的包裹有Cu2S殼層的多級氧化銦錫納米線陣列。該制備方法步驟如下:(1)以金納米顆粒為催化劑,通過化學氣相沉積法,在導電基底上按級數依次沉積生長氧化銦錫納米線;(2)通過1)-3)中任一方法在納米線陣列上包覆Cu2S殼層:1)化學浴沉積法,包覆CdS殼層;然后用離子交換法,將CdS殼層轉化成Cu2S殼層;2)連續離子層吸附法包覆;3)磁控濺射法包覆;(3)在惰性氣氛下,經煅燒即得。本發明制備的Cu2S@ITO-X納米線陣列作為對電極材料,其組裝的太陽能電池性能明顯優于貴金屬Pt或Au及過渡金屬硫屬化合物作為對電極材料的太陽能電池。
聲明:
“多級氧化銦錫納米線陣列復合材料及其制備方法與在太陽能電池中的應用” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)