本發明屬于吸波材料技術領域,具體涉及新型一硫化鈦納米材料及其復合材料的制備與吸波用途。所述一硫化鈦為分散的微米顆粒形式,微米顆粒是由二維納米片堆疊而成的塊體。本發明公開了一種新型的TiS納米材料,該TiS納米材料是由二維納米片堆疊而成的塊體,因此其具有更利于吸波效果的片狀結構。此外,實驗結果證明,該TiS納米材料在40wt%摻量下,具有最優異的吸波性能,其最小反射損耗可以達到?47.4dB,有效吸收帶寬為5.9GHz,吸收峰值頻率為6.8GHz,結果優于目前的二維本體材料。該TiS納米材料吸波性能優異的原因之一可能是其中的TiS的片層狀的微觀形貌,使得電磁波折射損耗。
聲明:
“新型一硫化鈦納米材料及其復合材料的制備與吸波用途” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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