本發明公開一種復合材料及其制備方法,包括:CdS納米片,所述CdS納米片表面結合有WS2量子點和L?半胱氨酸。本發明的采用1?10nm厚度的CdS納米片可以縮短載流子傳輸路徑,從而降低了光生電子空穴對的內部復合幾率,且1?10nm厚度的CdS納米片具有大的比表面積,增加了活性位點,有利于增強光催化活性;L?半胱氨酸結合在CdS納米片表面,在光照過程中會緩慢釋放出S2?離子,可以減輕CdS納米片的光腐蝕現象,提高光催化穩定性;量子點作為催化劑的材料,具有量子限制、邊緣效應,并且量子點大的比表面積的可以提供更多的產氫活性位點,加速還原反應的進行,催化產氫性能會明顯提高。
聲明:
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