本發明提供了一種ZnO基復合材料及其制備方法和QLED器件,屬于光電材料技術領域。本發明提供的ZnO基復合層材料的電阻高于ZnO,降低了電子傳輸層的電子遷移率,減小了電子注入與傳輸的效率,有效調控了ZnO層的電子注入能力;其中,胺基修飾的SiO2包覆層的NH2?封端可在發光層/電子傳輸層的界面形成偶極層,構成界面間的逆向電場,改變電子注入的方式,進一步調控了界面的電子傳輸,使QLED的電荷注入趨近完全平衡,降低了由于載流子注入不平衡引起的非輻射復合;SiO2殼層隔絕了ZnO與量子點的直接接觸,有效削弱了ZnO表面的缺陷態對量子點的熒光猝滅,最終提高了QLED器件的外量子效率和使用壽命。
聲明:
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