本發明公開了一種GO?NiCoS?NiMoLDH復合材料，由氧化石墨烯GO、片狀NiCo2S4和納米花狀NiMoLDH構成；其中，GO為基體材料，微觀形貌為納米片結構，作用是導電基底利于電子的超高速輸運；NiCo2S4的微觀結構為納米片結構，負載于GO的表面，作用是提供額外贗電容；NiMoLDH的微觀結構為納米片結構，嵌于NiCo2S4納米片結構的表面，作用是增大NiCo2S4的比表面積；其制備方法為兩步水熱法，步驟1，GO?NiCo2S4的制備；步驟2，GO?NiCoS?NiMoLDH的制備。作為超級電容器電極材料的應用，在0?0.5 V范圍內充放電，在放電電流密度為1 A g?1時，比電容為1300?1400 F g?1；在放電電流密度為20A g?1時，在3000圈循環后的循環穩定性為100%。具有以下優點：形成由納米片組成納米花的分層結構避免納米片的聚集；NiCo2S4和NiMoLDH之間還存在協同作用。
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編輯：管理員
來源：中冶有色網
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2025年08月07日 ~ 09日 
