本發明涉及一種SiC納米線和SiC?MoSi2?CrSi2涂層共生長的制備方法,利用包埋法在C/C復合材料表面制備了SiC納米線和SiC?MoSi2?CrSi2涂層。將密度為1.63~1.75g/cm3的C/C復合材料試樣清洗后烘干備用;配制一定比例的包埋粉料,放置于全程開氬氣保護真空加熱爐中。最終制得C/C?SiC納米線/SiC?MoSi2?CrSi2涂層復合材料。本發明采用過渡涂層和納米線共生長的方法可以來緩解涂層之間的熱膨脹失配問題,提高陶瓷涂層的韌性,降低陶瓷涂層的開裂趨勢,最終提高涂層的抗氧化性能。與傳統的納米線增韌或者用過渡涂層來緩解熱應力失配,提高結合力相比,且一次制備過程能降低材料多次制備過程中受熱破壞,提高陶瓷涂層的韌性,降低陶瓷涂層的開裂趨勢,提高陶瓷涂層的抗氧化能力。
聲明:
“SiC納米線和SiC-MoSi2-CrSi2涂層共生長的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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