本發明涉及一種近零膨脹特性的C/SiC結構材料的制備方法,將連續炭纖維制備成纖維預制體,其纖維體積分數≥40%,通過化學氣相滲透(CVI)工藝在纖維束絲表面制備熱解碳界面層并進行高溫處理,采用化學氣相滲透工藝(CVI)在界面相表面沉積13~18%體積分數的碳化硅,使用漿料滲透結合反應熔體滲透工藝(RMI)迅速制備多相陶瓷基體,最后通過化學氣相沉積(CVD)工藝制備碳化硅涂層進行表面封填。優點:(1)大幅度降低了現有陶瓷基復合材料的線膨脹系數,由本方法制備的陶瓷基復合材料線膨脹系數接近于零(小于1×10?7/K);(2)有效地提高了復合材料的均勻性和致密度;(3)縮短了材料制備周期。
聲明:
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