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    介電材料增強AlGaN/GaN高電子遷移率晶體管跨導的方法

    1108   編輯:管理員   來源:中冶有色網  
    2023-03-18 16:53:47
    本發明提供一種介電材料增強AlGaN/GaN高電子遷移率晶體管跨導的方法,是在AlGaN/GaN高電子遷移率晶體管的源極與柵極之間和漏極與柵極之間填充高K有機介質材料,其中,高K有機介質材料是介電常數大于2的液體有機材料、高K固體有機材料、高K有機復合材料、高K有機/無機復合材料中的一種??梢允且簯B,也可以是固態。該法能大幅度增強AlGaN/GaN高電子遷移率晶體管的跨導,在閥值電壓基本相當的情況下,跨導增強可達70%。主要用于AlGaN/GaN高電子遷移率晶體管。
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