本發明提供一種介電材料增強AlGaN/GaN高電子遷移率晶體管跨導的方法,是在AlGaN/GaN高電子遷移率晶體管的源極與柵極之間和漏極與柵極之間填充高K有機介質材料,其中,高K有機介質材料是介電常數大于2的液體有機材料、高K固體有機材料、高K有機復合材料、高K有機/無機復合材料中的一種??梢允且簯B,也可以是固態。該法能大幅度增強AlGaN/GaN高電子遷移率晶體管的跨導,在閥值電壓基本相當的情況下,跨導增強可達70%。主要用于AlGaN/GaN高電子遷移率晶體管。
聲明:
“介電材料增強AlGaN/GaN高電子遷移率晶體管跨導的方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)