本發明公開了一種耐高溫低熱膨脹系數的鋁基/PMOS基復合層狀材料的制備方法,包括以下步驟:首先制得PMOS/莫來石/Si3N4雜化材料,然后通過在Al?Cu?Mg?Si合金中加入Fe、Ni或Ag、Si3N4,制得鋁基復合材料,最后將制得的PMOS/莫來石/Si3N4雜化材料、鋁基復合材料、PMOS/莫來石/Si3N4雜化材料復合制得層狀材料,層與層之間采用粘合層材料粘結而成,制得的層狀材料在200?400℃熱處理,制得鋁基/PMOS基復合層狀材料。該發明制得的復合層狀材料力學性能好,強度大,耐高溫性能優異,熱膨脹系數低。
聲明:
“耐高溫低熱膨脹系數的鋁基/PMOS基復合層狀材料的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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