本發明公開了一種碳硅錫復合物負極材料,包括碳材料顆?;w和包覆層,所述包覆層包括包覆內層和包覆外層;所述包覆內層為硅錫復合材料和無定型碳的混合,其中:所述硅錫復合材料為表面及孔洞中沉積有納米錫材料的硅基材料,所述無定型碳包覆在所述硅錫復合材料的表面及填充在所述碳材料顆?;w和所述硅錫復合材料之間的縫隙中;所述包覆外層為碳包覆層。本發明還公開了上述材料的制備方法,該方法制備的碳硅錫復合物負極材料,在提高導電性的同時提高了容量,并且有效地緩沖了負極材料的體積膨脹,提升了循環性能。
聲明:
“碳硅錫復合物負極材料及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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