本發明提供一種低價的半導體裝置用部件及其制造方法,該半導體裝置用部件可以在表面上形成高品質的鍍層,高溫(100℃)下的熱傳導率大于或等于180W/(m·K),具有不會由螺栓緊固等導致開裂程度的韌性,并且,即使通過焊接而與其它部件接合,也不會由熱應力導致脫焊。半導體裝置用部件(1),其熱膨脹系數大于或等于6.5×10-6/K而小于或等于15×10-6/K,溫度100℃下的熱傳導率大于或等于180W/(m·K),其具有:基材(11),其由原材料為粉末材料的鋁-碳化硅復合材料構成,該鋁-碳化硅復合材料是將顆粒狀的碳化硅分散在鋁或鋁合金中而成,其碳化硅的含量大于或等于30質量%而小于或等于85質量%;以及表面層(12),其與基材(11)的上下表面接合,其含有原材料為熔鑄材料的鋁或鋁合金。
聲明:
“半導體裝置用部件及其制造方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)