本發明公開了一種Ti3C2/TiO2二維材料的制備方法;本發明制備了Ti3C2MXene薄膜材料,經過加熱氧化后,層間距變大,并且在Ti3C2片層上原位生成了TiO2,得到二維的Ti3C2/TiO2復合材料。本發明在Ti3C2上一步原位生長TiO2得到了二維的Ti3C2/TiO2復合材料。所得復合材料比表面積大,導電性好,而且具有光生電子空穴對的特點,同時Ti3C2與TiO2形成肖特接觸,提升了其在光催化方面的效率。本發明工藝簡單,成本低,適合大規模應用,并且,Ti3C2/TiO2復合材料非常適合應用于在光催化領域本發明。
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“Ti3C2/TiO2二維材料的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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