提供一種電子器件及其制造方法,具有高性能及高功能、良好的高頻特性、對降低成本有效的絕緣結構。半導體基板1具有在其厚度方向上延伸的縱孔30。絕緣物填充層3是通過向縱孔30內進行填充以覆蓋其內周面而成的環狀層??v導體2由填充到被絕緣物填充層3所包圍的區域20內的凝固金屬體而成。絕緣填充層3是具有有機絕緣物或以玻璃為主成分的無機絕緣物、和具有納米復合材料結構的陶瓷的層。納米復合材料結構的陶瓷的常溫電阻率超過1014Ω·cm,相對介電常數在4~9的范圍內。
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