本發明公開了一種CoOx/BiVO4納米片及其制備方法和應用,屬于半導體材料領域。該方法通過水熱反應制備BiVO4時,使用了較低的溫度(1111111℃)和較短的反應時間(51171min),縮短了制備時間的同時可以形成良好的納米片狀形貌,顯著增大催化劑的比表面積,提供更多的吸附位點和活性位點,從而提升光催化性能;同時該方法選擇無水乙醇作為浸漬液,縮短了烘干時間的同時使復合材料獲得了更窄的帶隙寬度、提高了復合材料的可見光利用能力、使復合材料的光生載流子分離效果更好。
聲明:
“CoOx/BiVO4納米片及其制備方法和應用” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)