本發明涉及一種SiC納米線增韌化學氣相共沉積HfC?SiC復相涂層的制備方法,首先利用化學氣相沉積技術在C/C復合材料表面制備SiC納米線,而后利用化學氣相共沉積技術沉積HfC?SiC復相涂層,進而在C/C復合材料表面得到SiC納米線增韌HfC?SiC復相涂層。本發明方法制備的SiC納米線增韌HfC?SiC復相涂層通過控制涂層中的組織成分及各相的均勻程度,緩解了涂層與炭炭復合材料熱膨脹系數的不匹配,并通過納米線橋聯拔出機制抑制裂紋產生和擴展,有效地抑制了在燒蝕過程中HfC基陶瓷涂層開裂的情況。所制備的涂層厚度均勻,組織可控,工藝制備周期短、工藝過程簡單,成本低。
聲明:
“SiC納米線增韌化學氣相共沉積HfC-SiC復相涂層的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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