本發明公開了一種少層石墨烯修飾的氧空位二氧化錫材料及其制備方法,通過制備尺寸均一、分散良好的二氧化錫納米空心球粉體和具有少層特性且均勻性較高的氧化石墨烯,將氧化石墨烯包覆于二氧化錫表面,借助表面石墨烯、硼氫化鈉及后續真空熱處理,成功在二氧化錫納米空心球體制造大量氧空位,得到氧空位SnO2@rGO復合材料。本發明方法操作簡單,可以大批量投產,得到的復合材料具有對還原性氣體非常高的靈敏度和循環穩定性,且可以作為超級電容器正極材料。
聲明:
“少層石墨烯修飾的氧空位二氧化錫材料及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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