本發明涉及一種碳化硼梯度含量的鋁基層狀中子屏蔽板的制備方法,是針對高含量碳化硼鋁合金基復合材料塑性變形難的弊端,采用鋁合金為基體材料,由外層向內層碳化硼含量逐漸升高的方式,采用真空燒結技術制備中子屏蔽板的坯料,經熱擠壓和熱軋制,制成碳化硼梯度含量鋁基層狀中子屏蔽板,此制備方法工藝先進,數據精確翔實,制備的層狀中子屏蔽板抗拉強度達240MPa,延伸率達6.3%,可做核防護的中子屏蔽材料使用,是先進的制備層狀梯度金屬基復合材料的方法。
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