本發明公開了一種g?C3N4/rGO/ZnS光催化劑的制備及在光電化學陰極保護方面的應用,其中,一種g?C3N4/rGO/ZnS三元復合光催化劑的制備方法,其包括,將氧化石墨烯、鋅鹽溶解,超聲分散;加入硫源,攪拌后高溫反應,清洗后干燥,得rGO/ZnS復合材料;將g?C3N4和所述rGO/ZnS復合材料溶解,攪拌后高溫反應,得g?C3N4/rGO/ZnS三元復合光催化劑;一種g?C3N4/rGO/ZnS光電極的制備方法,其包括:將g?C3N4/rGO/ZnS、粘結劑、溶劑混合,超聲后均勻涂覆于經預處理的基材表面,自然風干后加熱干燥。本發明采用硫化鋅、氧化石墨烯對氮化碳進行半導體復合改性,能夠有效調整g?C3N4的能帶結構,提升其光生空穴氧化能力、光生電子遷移能力以及增加光電化學反應活性位點。
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