一種抗總劑量輻照的SOI器件及其制備方法,屬于輻射防護材料領域。本發明解決目前的高低Z交替疊層的涂層工藝復雜,需要進行多次涂覆并干燥,耗時較長且防護能力有限的問題;也無法實現具有柔性的技術問題。本發明由MAX相陶瓷基體,經過刻蝕后,得到層狀結構的Ti3C2Tx材料,然后通過原子層沉積技術將高Z金屬沉積到Mxene層狀結構中得到復合材料,再將復合材料與樹脂基體進行混合后涂覆于SOI器件表面,即得到輻射防護涂層。本發明的材料可用于生活中的防輻射服、醫療方面及核反應中所需的和防護領域。
聲明:
“抗總劑量輻照的SOI器件及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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