本發明涉及一種高純度、高密度、高產率的Si3N4/SiO2同軸納米電纜陣列的制備方法,屬 于材料制備技術領域。本發明采用熱解有機前驅體在鍍有金屬催化劑的基片上合成Si3N4/SiO2 同軸納米電纜陣列。含有步驟(1)高含氮量的聚硅氮烷在160-300℃下的低溫交聯固化,得 到半透明的非晶SiCN固體;(2)交聯固化后的非晶SiCN固體在高耐磨器具中的高能球磨、 粉碎;(3)高能球磨后得到的前驅體粉末在含有一定量氧氣的載氣保護下的高溫熱解、蒸發, 并在鍍有金屬催化劑薄膜的基片上沉積得到所述的結構。所述方法合成工藝和設備簡單,工 藝參數可控性強,成本低廉,所得Si3N4/SiO2同軸納米電纜生長有序,產量大、密度高、純 度高且直徑分布均勻。所合成的同軸納米電纜結構在原子力顯微鏡、近場光學顯微鏡、納米 力學探針和新型納米復合材料增強劑等方面有廣泛的應用前景。
聲明:
“高純度高密度高產率Si3N4/SiO2同軸納米電纜陣列的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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